CMS6D164 CMS6D164产品实物图 封装：TSSOP20 CMS6D164是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6D164通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置350ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
CMS6164D CMS6164D产品实物图 封装：TSSOP20 CMS6164D是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6164D通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置300ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
CMS6163N CMS6163N产品实物图 封装：TSSOP20 CMS6163N是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6163N通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置200ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间与内置死区之和。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
CMS6164 CMS6164产品实物图 封装：TSSOP20 CMS6164是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，芯片内置310ns死区时间，单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃；提供TSSOP20封装。
CMS6D181 CMS6D181产品实物图 封装：SOP28, SOP20 CMS6D181通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置350ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
CMS6D180 CMS6D180产品实物图 封装：SSOP24 CMS6D180有2路固定电压输出，VREG12V和VREG5V，VREG12V带载能力60mA，为内部VREG5V和栅极驱动提供电源，VREG5V带载能力30mA，可为MCU及其外设等电路供电。CMS6D180有三相中压高速栅极驱动IC，通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置360ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。内置VREG12V、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。CMS6D180具有欠压保护、过温保护、母线分压输出、限流保护、使能关断实现零待机电流等功能。
CMS6324 CMS6324产品实物图 封装：SOP8 CMS6324是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相中压高速栅极驱动IC，芯片内置310ns死区时间，单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃；提供SOP8封装。
