CMS6D220是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6D220通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置350ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。

CMS6126是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相高压高速栅极驱动IC，芯片内置320ns死区时间，单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃；提供SOP8封装。