CMS3D254

封装：SOP8

CMS3D206C电路是采用多芯片封装技术设计的大电流、高可靠性半桥驱动电路。该半桥电路高侧功率管采用P沟道VDMOS，低侧功率管采用N沟道VDMOS管，内部逻辑控制及功率管栅极驱动电路为采用BCD工艺设计的专用电路，实现半桥驱动电路功能。该半桥驱动电路采用两个输入信号控制高侧、低侧功率管的导通及关闭。控制方式为PWM/EN控制方式。电路内置了动态死区调节电路，检测到高侧功率管关闭后才允许开启低侧功率管，反之亦然。该半桥驱动电路最高工作电压为30V，封装形式为SOP8，持续电流能力为5A。该系列电路支持零待机功耗，通过EN信号高电平脉冲启动电路，启动延迟约30us。当EN信号低电平持续时间超过122ms，则电路进入零待机电流工作模式。

封装：SOP8

CMS3D214B电路是采用多芯片封装技术设计的大电流、高可靠性半桥驱动电路。该半桥电路高侧功率管采用P沟道VDMOS，低侧功率管采用N沟道VDMOS管，内部逻辑控制及功率管栅极驱动电路为采用BCD工艺设计的专用电路，实现半桥驱动电路功能。该半桥驱动电路采用两个输入信号控制高侧、低侧功率管的导通及关闭。控制方式为PWM/EN控制方式。电路内置了动态死区调节电路，检测到高侧功率管关闭后才允许开启低侧功率管，反之亦然。该半桥驱动电路最高工作电压为40V，封装形式为SOP8，持续电流能力为5A。该系列电路支持零待机功耗，通过EN信号高电平脉冲启动电路，启动延迟约30us。当EN信号低电平持续时间超过122ms，则电路进入零待机电流工作模式。

封装：ESOP-9

CMS3D255内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。CMS3D255采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。

封装：ESOP-9

CMS3D254内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。CMS3D254采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。